핵심 요약
삼성전자가 ASML과 차세대 노광 기술 협력을 확대하고 2028년 첨단 D램 양산에 High-NA EUV를 도입하겠다는 계획을 밝혔다. 동시에 ASML이 주도하는 12인치 포토마스크 플랫폼 개발에도 참여한다.
확인된 사실
삼성과 ASML은 9월 8일 협력 확대를 발표했다. 삼성은 업계에서 처음으로 High-NA EUV를 D램 고도화에 본격 적용하는 것을 목표로 하고 있다. 기존 6인치 중심의 포토마스크를 더 큰 12인치 플랫폼으로 확장해 대형 칩과 첨단 공정의 생산성을 높이려는 움직임도 함께 진행된다.
왜 중요한가
High-NA EUV는 기존 EUV보다 더 미세한 회로를 그릴 수 있어 멀티패터닝 단계를 줄일 가능성이 있다. 공정 수가 줄면 생산성, 수율 관리, 비용 측면에서 이점이 생길 수 있다. AI 서버용 고성능 메모리 수요가 커지는 상황에서 메모리 미세화 경쟁의 핵심 장비가 될 가능성이 크다.
해석과 전망
다만 장비 도입 계획이 곧바로 원가 절감이나 수율 개선을 보장하는 것은 아니다. 새로운 노광 장비와 마스크 체계는 공정 안정화와 대규모 투자, 소재·검사 생태계의 동반 변화가 필요하다. 2028년까지 실제 양산 일정이 유지되는지와 적용 제품 범위를 확인할 필요가 있다.
한국 산업에 미칠 영향
삼성뿐 아니라 SK하이닉스도 첨단 메모리 경쟁을 벌이는 만큼 High-NA EUV 생태계가 국내 장비·소재·검사 업체에 새로운 수요를 만들 가능성이 있다. 반면 핵심 노광장비에 대한 ASML 의존도는 더 높아질 수 있다.